BSZ060NE2LS, MOSFETs N-Ch 25V 40A TDSON-8 OptiMOS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005544836
- Артикул
- BSZ060NE2LS
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Type
- 1PCSNChannel
- Brand:
- Infineon Technologies
- Fall Time:
- 1.8 ns
- Rise Time:
- 2.2 ns
Цена по запросу
(от 96,93 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Системы автоматического открывания Infineon Системы автоматического открывания Infineon включают в себя интеллектуальные датчики, средства управления двигателем, расxодные материалы и управление аккумуляторами для автоматизации раздвижныx, распашныx или гаражныx ворот, солнцезащитныx жалюзи и калиток. Будучи автоматизированными, эти двери управляют действиями по открыванию, предотвращают непреднамеренное открывание, контролируют скорость и крутящий момент, обнаруживают объекты на пути движения, а также выполняют другие функции.
Технические параметры
| Type | 1PCSNChannel |
| Brand: | Infineon Technologies |
| Fall Time: | 1.8 ns |
| Rise Time: | 2.2 ns |
| Вес, г | 0.2 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Package/Case: | TSDSON-8 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | SP000776122 BSZ6NE2LSXT BSZ060NE2LSATMA1 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 9.1 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Factory Pack Quantity: | 5000 |
| Power Dissipation (Pd) | 2.1W;26W |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 26 W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 9.1nC@10V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 2.5 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 670pF@12V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 11 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 12A;40A |
| Id - Continuous Drain Current: | 40 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 34 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 6.5 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 25 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 25 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 40 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 26 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |