OptiMOS™ 3 N-Channel MOSFET, 40 A, 30 V, 8-Pin TSDSON BSZ050N03LSGATMA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8290532071
- Артикул
- BSZ050N03LSGATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Width
- 3.4mm
- Series
- OptiMOS 3
- Pin Count
- 8
- Вес, г
- 2
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор полевой BSZ050N03LSGATMA1 производства INFINEON предназначен для монтажа SMD с характеристиками: ток стока 40А, напряжение сток-исток 30В, мощность 50Вт, и сопротивлением в открытом состоянии всего 0,005 Ом. Благодаря своему N-MOSFET типу и компактному корпусу PG-TSDSON-8, этот транзистор идеально подходит для широкого спектра электронных устройств, обеспечивая высокую эффективность и надежность. В области применения находят свое место в современных энергосберегающих технологиях и коммутационных устройствах. Модель BSZ050N03LSGATMA1, благодаря своим выдающимся характеристикам, станет незаменимым элементом в вашем проекте. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж SMD Ток стока, А 40 Напряжение сток-исток, В 30 Мощность, Вт 50 Сопротивление в открытом состоянии, Ом 0.005 Корпус PG-TSDSON-8
Технические параметры
| Width | 3.4mm |
| Series | OptiMOS 3 |
| Pin Count | 8 |
| Вес, г | 2 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TSDSON |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 50 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 26 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.2V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Maximum Drain Source Resistance | 7.8 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 40 A |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 40 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 4.2мОм |