Моя заявка (0)

BSZ050N03LSGATMA1, Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin TSDSON EP T/R

BSZ050N03LSGATMA1, Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin TSDSON EP T/R

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8001292075
Артикул
BSZ050N03LSGATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Width
3.4mm
Series
OptiMOS 3
Pin Count
8
Вес, г
1
Цена по запросу
(от 45 ₽)
Минимальный заказ: 5000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Продукция OptiMOS™ выпускается в высокопроизводительныx комплектацияx для решения самыx сложныx задач, обеспечивая полную гибкость в условияx ограниченного пространства.

Технические параметры

Width3.4mm
SeriesOptiMOS 3
Pin Count8
Вес, г1
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeTSDSON
Mounting TypeSurface Mount
СтруктураN-Channel
Transistor MaterialSi
Особенности-
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation50 W
Typical Gate Charge @ Vgs26 nC @ 10 V
Maximum Gate Source Voltage-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage30 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage2.2V
Minimum Gate Threshold Voltage1V
Maximum Drain Source Resistance7.8 mΩ
Maximum Continuous Drain Current40 A
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А16
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация