BSZ0501NSIATMA1, 30V 2mOhm@20A,10V 2V@250uA N Channel TSDSON-8 MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8037110562
- Артикул
- BSZ0501NSIATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Вес, г
- 0.3
- Длина
- 3.3 mm
- Серия
- OptiMOS 5
- Высота
- 1.1 mm
Цена по запросу
(от 132,07 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор TRENCH <= 40V
Технические параметры
| Вес, г | 0.3 |
| Длина | 3.3 mm |
| Серия | OptiMOS 5 |
| Высота | 1.1 mm |
| Ширина | 3.3 mm |
| Структура | N-Channel |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 3 ns |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | TSDSON-8 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 24 nC |
| Время нарастания | 4 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 50 W |
| Другие названия товара № | BSZ0501NSI SP001281638 |
| Id - непрерывный ток утечки | 123 A |
| Коммерческое обозначение | OptiMOS |
| Размер фабричной упаковки | 5000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 2.1 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 22 ns |
| Типичное время задержки при включении | 4 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 20 |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 55 S |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.1 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 2мОм |