Моя заявка (0)

N-Channel MOSFET, 173 A, 30 V, 8-Pin TSDSON-8 FL BSZ0500NSIATMA1

N-Channel MOSFET, 173 A, 30 V, 8-Pin TSDSON-8 FL BSZ0500NSIATMA1

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8017226516
Артикул
BSZ0500NSIATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Brand:
Infineon Technologies
Series:
OptiMOS 5
Pin Count
8
Fall Time:
4 ns
Цена по запросу
(от 426,84 ₽)
Минимальный заказ: 2 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Силовой транзистор Infineon OptiMOS 5 - это N-канальный силовой МОП-транзистор, оптимизированный для высокопроизводительныx понижающиx преобразователей.

Технические параметры

Brand:Infineon Technologies
Series:OptiMOS 5
Pin Count8
Fall Time:4 ns
Rise Time:5 ns
Tradename:OptiMOS
Вес, г1
Technology:Si
Channel TypeN
Package TypeTSDSON-8 FL
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Infineon
Mounting TypeSurface Mount
Product Type:MOSFET
REACH - SVHC:Details
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:TSDSON-8
Part # Aliases:BSZ0500NSI SP001288150
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:39 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Особенности-
Pd - Power Dissipation:69 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip1
Typical Turn-On Delay Time:5 ns
Maximum Drain Source Voltage30 V
Typical Turn-Off Delay Time:28 ns
Id - Continuous Drain Current:40 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:70 S
Maximum Continuous Drain Current173 A
Rds On - Drain-Source Resistance:1.5 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:5000
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А173
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация