Моя заявка (0)

N-Channel MOSFET, 102 A, 60 V, 8-Pin PQFN 3 x 3 FL BSZ039N06NSATMA1

N-Channel MOSFET, 102 A, 60 V, 8-Pin PQFN 3 x 3 FL BSZ039N06NSATMA1

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8018837775
Артикул
BSZ039N06NSATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Brand:
Infineon Technologies
Series:
BSZ039N06
Pin Count
8
Fall Time:
6 ns
Цена по запросу
(от 388,98 ₽)
Минимальный заказ: 2 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Силовой транзистор Infineon OptiMOS - это N-канальный МОП-транзистор, который полностью соответствует требованиям стандарта JEDEC для промышленного применения.

Технические параметры

Brand:Infineon Technologies
Series:BSZ039N06
Pin Count8
Fall Time:6 ns
Packaging:Reel, Cut Tape
Rise Time:7 ns
Вес, г1
Technology:Si
Channel TypeN
Package TypePQFN 3x3 FL
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Infineon
Mounting TypeSurface Mount
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:TSDSON-8
Part # Aliases:BSZ039N06NS SP002035226
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:27 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Особенности-
Pd - Power Dissipation:69 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip1
Typical Turn-On Delay Time:10 ns
Maximum Drain Source Voltage60 V
Typical Turn-Off Delay Time:19 ns
Id - Continuous Drain Current:40 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:27 S
Maximum Continuous Drain Current102 A
Rds On - Drain-Source Resistance:4.6 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:60 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2.8 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:5000
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А102
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация