Моя заявка (0)

BSZ035N03MSGATMA1, Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R

BSZ035N03MSGATMA1, Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8001292894
Артикул
BSZ035N03MSGATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
PPAP
No
SVHC
Yes
Mounting
Surface Mount
Packaging
Tape and Reel
Цена по запросу
(от 213 ₽)
Минимальный заказ: 84 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Транзисторный MOSFET N-CH 30V 18A 8-контактный TSDSON EP T/R

Технические параметры

PPAPNo
SVHCYes
MountingSurface Mount
PackagingTape and Reel
Pin Count8
AutomotiveNo
Lead ShapeNo Lead
Вес, г1
PCB changed8
Part StatusActive
ConfigurationSingle Quad Drain Triple Source
Package Width3.3
Package Length3.3
Product CategoryPower MOSFET
Supplier PackageTSDSON EP
Process TechnologyOptiMOS
СтруктураN-Channel
Standard Package NameSON
SVHC Exceeds ThresholdYes
Typical Fall Time (ns)4.8
Typical Rise Time (ns)5.8
Особенности-
Number of Elements per Chip1
Maximum Power Dissipation (mW)2100
Typical Gate Charge @ 10V (nC)56
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)27@4.5V|56@10V
Maximum Gate-Source Voltage (V)±20
Typical Turn-On Delay Time (ns)10
Maximum Drain-Source Voltage (V)30
Typical Turn-Off Delay Time (ns)38
Maximum Gate Threshold Voltage (V)2
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)4300@15V
Maximum Drain-Source Resistance (mOhm)3.5@10V
Typical Drain-Source Resistance @ 25°C (mOhm)2.9@10V|3.4@4.5V
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А18
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация