N-Channel MOSFET, 77 A, 25 V, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 BSZ033NE2LS5ATMA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8041282707
- Артикул
- BSZ033NE2LS5ATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Series:
- OptiMOS 5
- Pin Count
- 8
- Fall Time:
- 2 ns
Цена по запросу
(от 110 ₽)
Минимальный заказ: 5000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор Infineon has оптимизирован для высокопроизводительного понижающего преобразователя (сервер, VGA) и очень низкого качества FOM для высокочастотныx SMPS.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Series: | OptiMOS 5 |
| Pin Count | 8 |
| Fall Time: | 2 ns |
| Rise Time: | 3 ns |
| Tradename: | OptiMOS |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Channel Type | N |
| Package Type | SuperSO8 5x6 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TSDSON-8 |
| Part # Aliases: | BSZ033NE2LS5 SP001288158 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Power Dissipation | 30Вт |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 13.6 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 30 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 4 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 25 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 18 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 40 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 46 S |
| Drain Source On State Resistance | 0.0027Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 77 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 3.3 mOhms |
| Линейка Продукции | OptiMOS 5 |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 25 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Непрерывный Ток Стока | 40А |
| Рассеиваемая Мощность | 30Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2В |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 5000 |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 25В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TSDSON-FL |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 25 |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0027Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 77 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0027 Ом |