OptiMOS™ Silicon N-Channel MOSFET, 114 A, 40 V, 8-Pin TSDSON-8 FL BSZ028N04LSATMA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014564496
- Артикул
- BSZ028N04LSATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Series
- OptiMOSTM3
- Series:
- OptiMOS 5
- Pin Count
- 8
Цена по запросу
(от 110 ₽)
Минимальный заказ: 5000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Конструкция MOSFET-транзисторов Infineon, также известныx как MOSFET-транзисторы, расшифровывается как "Металлооксидные полупроводниковые полевые транзисторы’.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOSTM3 |
| Series: | OptiMOS 5 |
| Pin Count | 8 |
| Fall Time: | 4 ns |
| Rise Time: | 4 ns |
| Tradename: | OptiMOS |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TSDSON-8 FL |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TSDSON-8 |
| Part # Aliases: | BSZ028N04LS SP001067016 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 45 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Silicon |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 63 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 5 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 40 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 37 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 114 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 50 S |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.0028 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 114 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 2.7 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 5000 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 114 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0022 Ом |