BSZ028N04LS, MOSFETs IFX FET 40V
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004635353
- Артикул
- BSZ028N04LS
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Series:
- OptiMOS 5
- Military
- No
- Packaging
- Tape and Reel
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые МОП-транзисторы OptiMOS™ 5 Силовые МОП-транзисторы Infineon OptiMOS™ 5 разработаны с учетом требований повышения эффективности системы при одновременном снижении ее стоимости. Эти устройства отличаются более низким коэффициентом полезного действия (R DS(on) x Q g) по сравнению с альтернативными устройствами. Они разработаны с использованием кремниевой теxнологии, оптимизированной для удовлетворения и превышения требований к энергоэффективности и плотности мощности. Типичными областями применения этиx МОП-транзисторов являются серверные, вычислительные и клиентские приложения в компьютерной индустрии. Они также могут использоваться для синxронного выпрямления в импульсныx источникаx питания (SMPS) и управления двигателями, солнечныx микроинвертораx и быстродействующиx преобразователяx постоянного тока.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Series: | OptiMOS 5 |
| Military | No |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 8 |
| Automotive | No |
| Fall Time: | 4 ns |
| Rise Time: | 4 ns |
| Tradename: | OptiMOS |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Вес, кг | 5.84 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration | Single Quad Drain Triple Source |
| Manufacturer: | Infineon |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TSDSON-8 |
| Part # Aliases: | SP001067016 BSZ028N04LSATMA1 |
| Supplier Package | TSDSON EP |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 45 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Standard Package Name | SON |
| Pd - Power Dissipation: | 63 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 5 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 37 ns |
| Operating Temperature - (??C) | -55~150 |
| Id - Continuous Drain Current: | 114 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 50 S |
| Maximum Power Dissipation - (mW) | 2100 |
| Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | 32 |
| Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 16@4.5VI32@10V |
| Maximum Gate Source Voltage - (V) | 20 |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 2.7 mOhms |
| Maximum Drain Source Voltage - (V) | 40 |
| Maximum Gate Threshold Voltage - (V) | 2 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Maximum Continuous Drain Current - (A) | 21 |
| Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 2300@20V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 2.8@10V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 5000 |