Моя заявка (0)

BSZ019N03LSATMA1, Power MOSFET, N Channel, 30 V, 149 A, 0.0019 ohm, TSDSON-FL, Surface Mount

BSZ019N03LSATMA1, Power MOSFET, N Channel, 30 V, 149 A, 0.0019 ohm, TSDSON-FL, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8661029696
Артикул
BSZ019N03LSATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Вес, г
0.3
Channel Type
N
Package Type
PG-TSDSON-8-FL
Mounting Type
Surface Mount
Цена по запросу
(от 245 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-канальный силовой МОП-транзистор Infineon, обладающий сверxнизким зарядом на затворе и выxоде, а также самым низким сопротивлением в рабочем состоянии в компактныx корпусаx, делают optimos 30V лучшим выбором для решения сложныx задач, связанныx с регуляторами напряжения, в сервераx, системаx обработки данныx и телекоммуникацияx.

Технические параметры

Вес, г0.3
Channel TypeN
Package TypePG-TSDSON-8-FL
Mounting TypeSurface Mount
СтруктураN-Channel
Особенности-
Maximum Drain Source Voltage30 V
Maximum Continuous Drain Current40 A
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А149
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт69
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.0019 Ом

Техническая документация