Моя заявка (0)

BSZ018NE2LSATMA1, Power MOSFET, N Channel, 25 V, 153 A, 0.0018 ohm, TSDSON-FL, Surface Mount

BSZ018NE2LSATMA1, Power MOSFET, N Channel, 25 V, 153 A, 0.0018 ohm, TSDSON-FL, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8323498925
Артикул
BSZ018NE2LSATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Pin Count
8
Вес, г
0.5
Channel Type
N
Package Type
PQFN 3x3
Цена по запросу
(от 240 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Мощный МОП-транзистор Infineon OptiMOS - это N-канальный МОП-транзистор со свинцовым покрытием, не содержащим свинца. Он оптимизирован для высокопроизводительного понижающего преобразователя.

Технические параметры

Pin Count8
Вес, г0.5
Channel TypeN
Package TypePQFN 3x3
Mounting TypeSurface Mount
СтруктураN-Channel
Особенности-
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage25 V
Maximum Continuous Drain Current153 A
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В25
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А153
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.0018 Ом

Техническая документация