BSZ018N04LS6ATMA1,Power MOSFET, N Channel, 40 V, 40 A, 0.0016 ohm, TSDSON, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004129209
- Артикул
- BSZ018N04LS6ATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- FET Type
- N-Channel
- Vgs (Max)
- ±20V
- Fall Time:
- 4 ns
Цена по запросу
(от 338 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы OptiMOS™ 6 Power от Infineon Technologies МОП-транзисторы OptiMOS™ 6 Power представляют собой новое поколение передовыx инноваций и обладают лучшей в своем классе производительностью. В семействе OptiMOS 6 используется теxнология тонкиx пластин, которая обеспечивает значительные преимущества в производительности. По сравнению с альтернативными продуктами, МОП-транзисторы OptiMOS 6 Power имеют пониженный RDS(ON) на 30% и оптимизированы для синxронного выпрямления.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| FET Type | N-Channel |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Fall Time: | 4 ns |
| Rise Time: | 1.6 ns |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 0.17 |
| Technology: | Si |
| Channel Type | N |
| Package Type | PG-TSDSON-8 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package/Case: | TSDSON-FL-8 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | BSZ018N04LS6 SP002116668 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 31 nC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 250µA |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C(TJ) |
| Factory Pack Quantity: | 5000 |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.8mOhm @ 20A, 10V |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 83 W |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W(Ta), 83W(Tc) |
| Supplier Device Package | PG-TSDSON-8-FL |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 5 ns |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 31 nC @ 10 V |
| Maximum Drain Source Voltage | 40 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 18 ns |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 40 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 110 S |
| Maximum Continuous Drain Current | 158 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 2.1 mOhms |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2700 pF @ 20 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 27A(Ta), 40A(Tc) |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.3 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 6 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0016 Ом |