OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET, 176 A, 25 V Enhancement, 8-Pin TSDSON BSZ014NE2LS5IFATMA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017251070
- Артикул
- BSZ014NE2LS5IFATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Series
- OptiMOS™ 5
- Pin Count
- 8
- Вес, г
- 1
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 340 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Линейка Infineon предлагает большой и всесторонний ассортимент устройств на МОП-транзистораx, который включает в себя семейства CoolMOS, OptiMOS и Strong IRFET.
Технические параметры
| Series | OptiMOS™ 5 |
| Pin Count | 8 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TSDSON-8 FL |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Power Dissipation | 69Вт |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Особенности | Enhancement Mode |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 25 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.00145 O |
| Drain Source On State Resistance | 0.00125Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 176 A |
| Линейка Продукции | OptiMOS 5 |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 40А |
| Рассеиваемая Мощность | 69Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 25В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TSDSON-FL |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 25 |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.00125Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 176 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.00125 Ом |