Моя заявка (0)

BSZ010NE2LS5ATMA1, 25V 1mOhm@20A,10V N Channel TSDSON-8-FL MOSFETs

BSZ010NE2LS5ATMA1, 25V 1mOhm@20A,10V N Channel TSDSON-8-FL MOSFETs

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070056446
Артикул
BSZ010NE2LS5ATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Pin Count
8
Вес, г
0.08
Серия
OptiMOS
Channel Type
N
Цена по запросу
(от 199,84 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор TRENCH <= 40V

Технические параметры

Pin Count8
Вес, г0.08
СерияOptiMOS
Channel TypeN
Package TypeTSDSON-8 FL
Mounting TypeSurface Mount
УпаковкаReel, Cut Tape
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Время спада7.2 ns
Power Dissipation (Pd)2.1W;69W
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Total Gate Charge (Qg@Vgs)29nC@4.5V
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаInfineon Technologies
Упаковка / блокTSDSON-8
Input Capacitance (Ciss@Vds)3.9nF@12V
Maximum Drain Source Voltage25 V
Continuous Drain Current (Id)32A;40A
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Qg - заряд затвора44.5 nC
Время нарастания6 ns
Maximum Continuous Drain Current212 A
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности69 W
Другие названия товара №BSZ010NE2LS5 SP002103858
Id - непрерывный ток утечки40 A
Размер фабричной упаковки5000
Vgs - напряжение затвор-исток16 V, + 16 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток1 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток25 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения19.3 ns
Типичное время задержки при включении12.6 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2 V
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.90 S

Техническая документация