N-Channel MOSFET, 223 A, 25 V PG-TSDSON BSZ009NE2LS5ATMA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8030973512
- Артикул
- BSZ009NE2LS5ATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Fall Time:
- 17 ns
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
- Rise Time:
- 9 ns
Цена по запросу
(от 464,71 ₽)
Минимальный заказ: 2 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор Infineon OptiMOS 5 мощностью 25 В в компактном корпусе PQFN размером 3,3x3x3 мм. Это устройство обладает самым низким в отрасли значением RDS(on), равным 0.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Fall Time: | 17 ns |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Rise Time: | 9 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Channel Type | N |
| Package Type | PG-TSDSON |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package/Case: | TSDSON-8 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | BSZ009NE2LS5 SP002103848 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 92 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 5000 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 69 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -16 V, +16 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 7 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 25 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 31 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 40 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 70 S |
| Maximum Continuous Drain Current | 223 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 960 uOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 25 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 25 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 223 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |