Моя заявка (0)
BSV52LT1G, Trans GP BJT NPN 12V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8001174417
Артикул
BSV52LT1G
Бренд
ON Semiconductor***
Pin Count
3
Вес, г
1
Длина
2.9 mm
Серия
BSV52L
Цена по запросу
(от 14 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор NPN, биполярный, 12В, 0,1А, 225мВт, SOT23 Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид NPN

Технические параметры

Pin Count3
Вес, г1
Длина2.9 mm
СерияBSV52L
Package TypeSOT-23
Высота0.94 mm
КорпусSOT-23(TO-236)
Ширина1.3 mm
Mounting TypeSurface Mount
Transistor TypeNPN
Структураnpn
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Minimum DC Current Gain40
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
Transistor ConfigurationSingle
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Maximum Power Dissipation225 mW
Maximum Operating Frequency100 MHz
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаON Semiconductor
Упаковка / блокSOT-23-3
Maximum DC Collector Current100 mA
Maximum Operating Temperature+150 °C
Maximum Collector Base Voltage20 V dc
Maximum Collector Emitter Voltage12 V
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Полярность транзистораNPN
Pd - рассеивание мощности225 W
Размер фабричной упаковки3000
Непрерывный коллекторный ток0.1 A
Напряжение коллектор-база (VCBO)20 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)0.1
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.12 V
Максимальный постоянный ток коллектора0.1 A
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер400 mV
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)25
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)400 MHz

Техническая документация