BSV52LT1, Trans GP BJT NPN 12V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8043679751
- Артикул
- BSV52LT1
- Бренд
- ON Semiconductor***
- PPAP
- No
- SVHC
- Yes
- Type
- NPN
- Material
- Si
Цена по запросу
(от 13 ₽)
Минимальный заказ: 6834 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Trans GP BJT NPN 12 В 0,1 А 300 МВт 3-контактный SOT-23 T/R
Технические параметры
| PPAP | No |
| SVHC | Yes |
| Type | NPN |
| Material | Si |
| Mounting | Surface Mount |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Вес, г | 1 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Obsolete |
| Корпус | SOT-23(TO-236) |
| Configuration | Single |
| Package Width | 1.3 mm |
| Package Length | 2.9 mm |
| Product Category | Bipolar Small Signal |
| Supplier Package | SOT-23 |
| Структура | npn |
| Standard Package Name | SOT |
| SVHC Exceeds Threshold | Yes |
| Minimum DC Current Gain | 25@1mA@1V|40@10mA@1V|25@50mA@1V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 300 |
| Maximum DC Collector Current (A) | 0.1 |
| Maximum Collector-Base Voltage (V) | 20 |
| Maximum Transition Frequency (MHz) | 400(Min) |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 12 |
| Maximum Base-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.85@1mA@10mA|1.2@5mA@50mA |
| Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.3@300uA@10mA|0.25@1mA@10mA|0.4@5mA@50mA |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.1 |