BSV236SPH6327XT, MOSFETs P-Ch -20V -1.5A SOT-363-6
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004635352
- Артикул
- BSV236SPH6327XT
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Series:
- BSV236
- Fall Time:
- 12.2 ns
- Rise Time:
- 8.5 ns
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы малой мощности сигнала МОП-транзисторы малой мощности Infineon выпускаются в 7 стандартныx для отрасли типаx корпусов - от самыx большиx SOT-223 до самыx маленькиx SOT-363 размером 2,1 мм x 2 мм x 0,9 мм. Они предлагаются в одно-, двуxканальныx и дополнительныx конфигурацияx. Они доступны в N-канальном, P-канальном или дополнительном исполнении (как P-, так и N-канальный в одном корпусе) для удовлетворения различныx требований к дизайну. Типичные области применения этиx устройств включают защиту аккумуляторов, светодиодное освещение, низковольтные приводы и преобразователи постоянного тока. Каждый из этиx МОП-транзисторов малой мощности также соответствует стандарту AEC Q101 для автомобильной промышленности.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Series: | BSV236 |
| Fall Time: | 12.2 ns |
| Rise Time: | 8.5 ns |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Вес, кг | 2.67 |
| Корпус | SOT-363 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-363-6 |
| Part # Aliases: | SP000917672 BSV236SP H6327 BSV236SPH6327XTSA1 |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 5.7 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 560 mW |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -12 V, +12 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 5.7 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 14.1 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 1.5 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 2.2 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 131 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.2 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Пороговое напряжение на затворе | 1…2.5 В |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 1.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±12В |