Моя заявка (0)

BST62,115 PNP Darlington Transistor, -1 A 80 V HFE:1000, 3-Pin SOT-89

BST62,115 PNP Darlington Transistor, -1 A 80 V HFE:1000, 3-Pin SOT-89

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8014488731
Артикул
BST62,115
Бренд
Nexperia B.V.
Width
2.6mm
Pin Count
3
Вес, г
1
Package Type
SOT-89
Цена по запросу
(от 81 ₽)
Минимальный заказ: 1000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 80 В, 1 А 1.3 Вт

Технические параметры

Width2.6mm
Pin Count3
Вес, г1
Package TypeSOT-89
КорпусSOT-89-3
Mounting TypeSurface Mount
Transistor TypePNP
Power Dissipation1.3Вт
Структураpnp
DC Current Gain hFE Min2000hFE
Minimum DC Current Gain1000
Transistor ConfigurationSingle
Квалификация-
Maximum Power Dissipation1.3 W
Number of Elements per Chip1
Continuous Collector Current1А
Maximum Emitter Base Voltage-5 V
Collector Emitter Voltage Max80В
Maximum Operating Temperature+150 °C
Minimum Operating Temperature-65 °C
Maximum Collector Base Voltage-90 V
DC Усиление Тока hFE2000hFE
Maximum Collector Cut-off Current-50nA
Maximum Collector Emitter Voltage80 V
Линейка Продукции-
Частота Перехода ft200МГц
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Maximum Continuous Collector Current-1 A
Maximum Base Emitter Saturation Voltage-1.9 V
Полярность ТранзистораPNP
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage-1.3 V
Стиль Корпуса ТранзистораSOT-89
Максимальная Рабочая Температура150°C
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный

Техническая документация