Моя заявка (0)

BST52,115, Транзистор NPN, биполярный, Дарлингтон, 80В, 1А, 1,3Вт, SOT89-3

BST52,115, Транзистор NPN, биполярный, Дарлингтон, 80В, 1А, 1,3Вт, SOT89-3

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8031859976
Артикул
BST52,115
Бренд
Nexperia B.V.
Width
2.6mm
Brand:
Nexperia
Pin Count
4
Вес, г
0.1
Цена по запросу
(от 92,86 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор NPN, биполярный, Дарлингтон, 80В, 1А, 1,3Вт, SOT89-3 Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид NPN

Технические параметры

Width2.6mm
Brand:Nexperia
Pin Count4
Вес, г0.1
Package TypeUPAK
Subcategory:Transistors
КорпусSOT-89/TO-243
Manufacturer:Nexperia
Mounting TypeSurface Mount
Product Type:Darlington Transistors
Configuration:Single
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:SOT-89-3
Part # Aliases:933644270115
Transistor TypeNPN
Product Category:Darlington Transistors
Структураnpn
Transistor Polarity:NPN
Minimum DC Current Gain1000
DC Current Gain hFE Max:1000
Transistor ConfigurationSingle
Emitter- Base Voltage VEBO:5 V
Number of Elements per Chip1
Maximum Emitter Base Voltage5 V
Collector- Base Voltage VCBO:90 V
Maximum DC Collector Current:1 A
Maximum Operating Temperature+150 °C
Minimum Operating Temperature-65 °C
Maximum Collector Base Voltage90 V
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-65 C
Maximum Collector Cut-off Current0.00005mA
Maximum Collector Emitter Voltage80 V
Maximum Collector Cut-off Current:50 nA
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:80 V
Maximum Continuous Collector Current1 A
Maximum Base Emitter Saturation Voltage1.9 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage1.3 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:1000
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)1
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В80

Техническая документация