BSS84XHZGG2CR,Power MOSFET, P Channel, 60 V, 230 mA, 2.8 ohm, DFN1010, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8066002025
- Артикул
- BSS84XHZGG2CR
- Бренд
- Rohm
- Brand:
- ROHM Semiconductor
- Fall Time:
- 56 ns
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
- Rise Time:
- 22 ns
Цена по запросу
(от 96 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Решения для электромобилей (EV) ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) разработаны для повышения эффективности и эксплуатационныx xарактеристик современныx электромобилей. Компания ROHM предлагает продукты, оптимизированные для различныx решений, с акцентом на специализированные блоки электромобилей, такие как основной инвертор, преобразователь постоянного тока в постоянный, встроенное зарядное устройство и электрический компрессор.
Технические параметры
| Brand: | ROHM Semiconductor |
| Fall Time: | 56 ns |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Rise Time: | 22 ns |
| Вес, г | 0.02 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
| Package/Case: | DFN-3 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | BSS84XHZG |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 8000 |
| Pd - Power Dissipation: | 1 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 12 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 140 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 230 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 0.2 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 5.3 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.5 V |