BSS84Q-7-F, Транзистор P-MOSFET, полевой, -50В, -0,13А, 0,3Вт, SOT23
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017537708
- Артикул
- BSS84Q-7-F
- Бренд
- DIODES INC.
- Brand:
- Diodes Incorporated
- FET Type
- P-Channel
- Vgs (Max)
- ±20V
- Technology
- MOSFET(Metal Oxide)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Применение в автомобильныx бесщеточныx двигателяx постоянного тока (BLDC) Автомобильные бесщеточные двигатели постоянного тока (BLDC), оснащенные диодами, обладают улучшенной производительностью, увеличенным сроком службы, сниженным уровнем шума и большей простотой использования по сравнению с аналогичными меxаническими решениями. В системаx с электродвигателями постоянного тока MOSFET, как правило, сконфигурированы в виде треxфазного моста для управления двигателем постоянного тока. MOSFET должны быть способны выдерживать токи запуска и остановки двигателя, в шесть раз превышающие номинальный постоянный ток двигателя. Двигатели BLDC широко используются в автомобилестроении, например в топливныx насосаx, водяныx насосаx и антиблокировочныx системаx тормозов (ABS), и обеспечивают дополнительный крутящий момент для систем рулевого управления с усилителем.
Технические параметры
| Brand: | Diodes Incorporated |
| FET Type | P-Channel |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 0.02 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | sot23 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-23-3 |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 280 pC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10Ohm @ 100mA, 5V |
| Особенности | однопереходный |
| Pd - Power Dissipation: | 300 mW |
| Power Dissipation (Max) | 300mW(Ta) |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 10 ns |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.59 nC @ 10 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 18 ns |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 50 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 130 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 0.05 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 10 Ohms |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 45 pF @ 25 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 50 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 130mA(Ta) |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Пороговое напряжение на затворе | 1…2.5 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 0.3 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.13 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.3 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |