BSS84PW H6327, MOSFETs P-Ch -60V 150mA SOT-323-3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8006212016
- Артикул
- BSS84PW H6327
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Series:
- BSS84
- Fall Time:
- 20.5 ns
- Rise Time:
- 16.2 ns
Цена по запросу
(от 45 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 0.15A
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Series: | BSS84 |
| Fall Time: | 20.5 ns |
| Rise Time: | 16.2 ns |
| Вес, г | 0.02 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | sot-323 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-323-3 |
| Part # Aliases: | BSS84PWH6327XT SP000917564 BSS84PWH6327XTSA1 |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 1.5 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 300 mW |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 6.7 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 8.6 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 150 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 80 mS |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 4.6 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Пороговое напряжение на затворе | 1…2.5 В |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.15 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.6 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |