BSS84PH6327XTSA2, , Полевой P-канальный транзистор , 60В, 0.17А, 0.36Вт, 8.0 Ом, корпус SOT-23-3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8037705288
- Артикул
- BSS84PH6327XTSA2
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- V(DS)
- 60 V
- Width
- 1.3mm
- P(tot)
- 0.36 W
- Series
- SIPMOS
Цена по запросу
(от 5,60 ₽)
Минимальный заказ: 250 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Малосигнальные P-канальные МОП-транзисторы Infineon SIPMOS® обладают рядом функций, которые могут включать режим усиления, постоянный ток разряда, иногда достигающий -80 А, а также широкий диапазон рабочиx температур.
Технические параметры
| V(DS) | 60 V |
| Width | 1.3mm |
| P(tot) | 0.36 W |
| Series | SIPMOS |
| Вид | N-MOSFET |
| Тип | полевой |
| Package | SOT-23 |
| Version | P-channel |
| Assembly | SMD |
| Military | No |
| Enclosure | SOT-223 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | Yes |
| Power loss | 0.36 W |
| Вес, г | 0.05 |
| RoHS Status | RoHS-conform |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Max. current | -0.17 A |
| Package Type | SOT-23 |
| max. Voltage | -60 V |
| Корпус | SOT-23-3 |
| Монтаж | SMD |
| Configuration | P-CH |
| Mounting Type | Surface Mount |
| RDS(on)at 10V | 8000 mOhm |
| Fast bodydiode | NO |
| I(D)at Tc=25°C | 0.17 A |
| Supplier Package | SOT-23 |
| Process Technology | SIPMOS |
| Структура | P-Channel |
| Transistor Material | Si |
| AEC Qualified Number | AEC-Q101 |
| Forward Diode Voltage | 1.24V |
| Standard Package Name | SOT-23 |
| Ток стока, А | 0.17 |
| Мощность, Вт | 0.36 |
| Особенности | - |
| Gate Charge Qg @10V (nC) | 1x10<sup>-9</sup> C |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 360 mW |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 1 nC @ 10 V |
| max. operating temperature | 150 °C |
| min. operating temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Operating Temperature - (??C) | -55~150 |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Maximum Drain Source Resistance | 12 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 170 mA |
| Maximum Power Dissipation - (mW) | 360 |
| Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | 1 |
| Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 1@10V |
| Maximum Gate Source Voltage - (V) | ??20 |
| Maximum Drain Source Voltage - (V) | 60 |
| Maximum Gate Threshold Voltage - (V) | 2 |
| Maximum Continuous Drain Current - (A) | 0.17 |
| Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 15@25V |
| Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 8000@10V |
| Напряжение сток-исток, В | 60 |
| Пороговое напряжение на затворе | - |
| Транспортная упаковка: размер/кол-во | 60*40*50/30000 |
| Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 8 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.17 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.36 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 8 Ом |