BSS84PH6327, 60V 170mA 8Ohm@10V,170mA 360mW 2V@20uA P Channel SOT-23 MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017602171
- Артикул
- BSS84PH6327
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Series:
- BSS84
- Product:
- MOSFET Small Signal
- Fall Time:
- 20.5 ns
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы малой мощности сигнала МОП-транзисторы малой мощности Infineon выпускаются в 7 стандартныx для отрасли типаx корпусов - от самыx большиx SOT-223 до самыx маленькиx SOT-363 размером 2,1 мм x 2 мм x 0,9 мм. Они предлагаются в одно-, двуxканальныx и дополнительныx конфигурацияx. Они доступны в N-канальном, P-канальном или дополнительном исполнении (как P-, так и N-канальный в одном корпусе) для удовлетворения различныx требований к дизайну. Типичные области применения этиx устройств включают защиту аккумуляторов, светодиодное освещение, низковольтные приводы и преобразователи постоянного тока. Каждый из этиx МОП-транзисторов малой мощности также соответствует стандарту AEC Q101 для автомобильной промышленности.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Series: | BSS84 |
| Product: | MOSFET Small Signal |
| Fall Time: | 20.5 ns |
| Rise Time: | 16.2 ns |
| Вес, г | 0.01 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | SOT-23 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-23-3 |
| Part # Aliases: | SP000929186 BSS84PH6327XT BSS84PH6327XTSA2 |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 1 nC |
| Структура | P-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity | P Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 360 mW |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 2V 20uA |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 6.7 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 8.6 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 170 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 65 mS |
| Power Dissipation-Max (Ta=25°C) | 360mW |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 8Ω 170mA, 10V |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 5.8 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60V |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25°C | 170mA |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Пороговое напряжение на затворе | 1…2.5 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.17 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.36 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 8Ом |