BSS84LT1G, Транзистор P-MOSFET 50В 130мА [SOT-23-3.]
![BSS84LT1G, Транзистор P-MOSFET 50В 130мА [SOT-23-3.]](https://static.epl-electro.ru/lib/255/DOC005255375.jpg)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 9000045547
- Артикул
- BSS84LT1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 0.05
- Корпус
- SOT-23-3
- Структура
- P-Channel
- Особенности
- низкопотребляющая портативная электроника
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
MOSFET, P, 50 В, SOT-23; Полярность транзистора: Канал P; Постоянный ток стока Id: 130 мА; Напряжение источника стока Vds: -50 В; Сопротивление включения Rds (вкл.): 10 Ом; Тестовое напряжение Rds (вкл.) Vgs:5 В; Пороговое напряжение Vgs:-2 В; Рассеиваемая мощность Pd: 225 МВт; Тип корпуса транзистора: SOT-23; Количество контактов: 3; Максимальная рабочая температура: 150°C; Ассортимент продукции: -; Автомобильный квалификационный стандарт:-; MSL: MSL 1 - Неограниченный; SVHC: Без SVHC (27 июня 2018 г.); Максимальный текущий идентификатор:130 мА; Минимальная рабочая температура: -55°C; Диапазон рабочиx температур: от -55°C до +150°C; Тип подключения: Устройство для поверxностного монтажа; Тип напряжения Vds: -50 В; Максимальное напряжение Vgs: 2 В; Напряжение Vgs Rds при измерении: -5 В
Технические параметры
| Вес, г | 0.05 |
| Корпус | SOT-23-3 |
| Структура | P-Channel |
| Особенности | низкопотребляющая портативная электроника |
| Крутизна характеристики, S | 270 |
| Пороговое напряжение на затворе | -2 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 50 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.13 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.225 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 10 Ом/0.1А, 5В |