Моя заявка (0)

BSS84AKM,315, 50V 230mA 4.5Ohm@10V,100mA 340mW 1.6V@250uA 1.3pF@25V P Channel 24pF@25V 0.26nC@5V -55°C~+150°C@(Tj) DFN1006-3 MOSFETs

BSS84AKM,315, 50V 230mA 4.5Ohm@10V,100mA 340mW 1.6V@250uA 1.3pF@25V P Channel 24pF@25V 0.26nC@5V -55°C~+150°C@(Tj) DFN1006-3 MOSFETs

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8017632949
Артикул
BSS84AKM,315
Бренд
Nexperia B.V.
Вес, г
0.02
Продукт
MOSFET Small Signal
Структура
P-Channel
Технология
Si
Цена по запросу
(от 5,34 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор P-CH -50 V -230 mA 50V 230mA

Технические параметры

Вес, г0.02
ПродуктMOSFET Small Signal
СтруктураP-Channel
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Особенности-
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаNexperia
Упаковка / блокDFN1006-3
Тип транзистора1 P-Channel
Qg - заряд затвора350 pC
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораP-Channel
Pd - рассеивание мощности340 mW
Id - непрерывный ток утечки230 mA
Размер фабричной упаковки10000
Rds Вкл - сопротивление сток-исток7.5 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток50 V
Пороговое напряжение на затворе-
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В50
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А84
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.150 mS
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт0.34
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)4.5Ом

Техническая документация