BSS84AK,215
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8067092696
- Бренд
- Nexperia B.V.
- Width
- 1.4mm
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 0.18
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 9,29 ₽)
Минимальный заказ: 34 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 50В 0.18A автомобильного применения 3-Pin TO-236AB лента на катушке
Технические параметры
| Width | 1.4mm |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.18 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Package Type | SOT-23 |
| Корпус | SOT-23 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity | P Channel |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 420 mW |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 0.26 nC @ 5 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 2.1V @ 250uA |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 50 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.1V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.1V |
| Maximum Drain Source Resistance | 7.5 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 180 mA |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 7.5О© @ 100mA,10V |
| Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 350mW |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 50V |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 180mA |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 84 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.42 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 4.5 Ом |