BSS84AHZGT116, Транзистор: P-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8034183014
- Артикул
- BSS84AHZGT116
- Бренд
- Rohm
- Case
- SOT23
- Mounting
- SMD
- Technology
- Trench
- Вес, г
- 0.1
Цена по запросу
(от 170 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Case | SOT23 |
| Mounting | SMD |
| Technology | Trench |
| Вес, г | 0.1 |
| Channel Type | P Channel |
| Manufacturer | ROHM SEMICONDUCTOR |
| Polarisation | unipolar |
| Drain current | -230mA |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| Power dissipation | 0.35W |
| Type of transistor | P-MOSFET |
| Структура | MOSFET |
| Gate-source voltage | ±20V |
| On-state resistance | 6.4Ω |
| Drain-source voltage | -60V |
| Pulsed drain current | -0.92A |
| Power Dissipation (Pd) | 200mW |
| Особенности | - |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 34pF@30V |
| Continuous Drain Current (Id) | 230mA |
| Drain Source On State Resistance | 2.8Ом |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 230мА |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2.5В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 60В |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-23 |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.5V@100uA |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 84 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 5.3Ω@230mA, 10V |