Моя заявка (0)

BSS8402DW-7-F, Транзистор, N/P-MOSFET, 60/50В, 0.15/0.13А, 0.2Вт, 13.5/10Ом [SOT-363.]

BSS8402DW-7-F, Транзистор, N/P-MOSFET, 60/50В, 0.15/0.13А, 0.2Вт, 13.5/10Ом [SOT-363.]

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
9000400152
Артикул
BSS8402DW-7-F
Бренд
DIODES INC.
Вес, г
0.05
Структура
МОП-транзистор
Количество Выводов
6вывод(-ов)
Непрерывный Ток Стока
115мА
Цена по запросу
(от 25,30 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор полевой BSS8402DW-7-F от DIODES INCORPORATED представляет собой высокопроизводительный компонент типа N+P-MOSFET, выполненный в надежном корпусе SOT363. Данный транзистор подходит для поверхностного монтажа (SMD) и обладает током стока 0,115 А, что делает его идеальным для использования в сложных схемах с ограниченным пространством. Напряжение сток-исток составляет 60 В, а мощность достигает 0,2 Вт, обеспечивая достаточную прочность для большинства низковольтных применений. Сопротивление в открытом состоянии составляет всего 10 Ом, что гарантирует эффективную работу компонента. Используйте BSS8402DW7F для повышения эффективности ваших электронных устройств. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N+P-MOSFET Монтаж SMD Ток стока, А 0.115 Напряжение сток-исток, В 60 Мощность, Вт 0.2 Сопротивление в открытом состоянии, Ом 10 Корпус SOT363

Технические параметры

Вес, г0.05
СтруктураМОП-транзистор
Количество Выводов6вывод(-ов)
Непрерывный Ток Стока115мА
Рассеиваемая Мощность200мВт
Полярность ТранзистораN и P Канал
Пороговое Напряжение Vgs2.5В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds60В
Стиль Корпуса ТранзистораSOT-363
Максимальная Рабочая Температура150 c
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1 - Безлимитный
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)13.5Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А0.115
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт0.2
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)13.5 Ом

Техническая документация