Моя заявка (0)

BSS84-TP, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -50В; -0,13А; Idm: -0,52А; 0,225Вт

BSS84-TP, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -50В; -0,13А; Idm: -0,52А; 0,225Вт

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8017547966
Артикул
BSS84-TP
Бренд
Micro Commercial Components Corp. (MCC)
PPAP
No
Mounting
Surface Mount
Pin Count
3
Automotive
No
Цена по запросу
(от 12 ₽)
Минимальный заказ: 20 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Транзистор MOSFET P-CH 50V 0,13A с 3-контактным разъемом SOT-23 T/R

Технические параметры

PPAPNo
MountingSurface Mount
Pin Count3
AutomotiveNo
Lead ShapeGull-wing
Вес, г0.05
PCB changed3
Part StatusActive
Channel ModeEnhancement
Channel TypeP
ConfigurationSingle
Package Width1.4(Max)
Package Length3.04(Max)
Product CategorySmall Signal
Supplier PackageSOT-23
СтруктураMOSFET
Standard Package NameSOT
Typical Fall Time (ns)77
Typical Rise Time (ns)20
Особенности-
Number of Elements per Chip1
Maximum Power Dissipation (mW)225
Maximum Gate Source Voltage (V)±20
Typical Turn-On Delay Time (ns)8.6
Maximum Drain Source Voltage (V)50
Typical Turn-Off Delay Time (ns)15
Maximum Gate Threshold Voltage (V)2
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Maximum Continuous Drain Current (A)0.13
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)30@25V
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)8000@10V
Крутизна характеристики, S270
Пороговое напряжение на затворе2V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В0.225
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А0.13
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт0.225
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)8Ω@10V, 100mA

Техническая документация