BSS84_R1_00001, 50V 130mA 200mW 10-@5V,100mA 2V@1mA P Channel SOT-23 MOSFETs
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015879501
- Артикул
- BSS84_R1_00001
- Бренд
- PanJit Semiconductors
- Type
- P Channel
- Вес, г
- 0.03
- Корпус
- SOT-23
- Структура
- P-Channel
Цена по запросу
(от 6,60 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
50 В 130 мА 200 МВт 10 Ом при 5 В, 100 мА 2 В при 1 мА P-канальные МОП-транзисторы SOT-23 ROHS
Технические параметры
| Type | P Channel |
| Вес, г | 0.03 |
| Корпус | SOT-23 |
| Структура | P-Channel |
| Transistor Polarity | P Channel |
| Power Dissipation (Pd) | 200mW |
| Особенности | - |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 2V 1mA |
| Continuous Drain Current (Id) | 130mA |
| Power Dissipation-Max (Ta=25°C) | 200mW(Tj) |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 10Ω 100mA, 5V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 50V |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25°C | 130mA(Tj) |
| Пороговое напряжение на затворе | 2V@1mA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 50 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.13 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.2 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 10Ω@5V, 100mA |