BSS84, Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002305578
- Артикул
- BSS84
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Width
- 1.3mm
- Brand:
- onsemi/Fairchild
- Series:
- BSS84
- Product:
- MOSFET Small Signals
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор полевой N-MOSFET BSS84 от производителя ONSEMI является высокоэффективным компонентом для современной электроники. Этот компактный транзистор в корпусе SOT23 предназначен для монтажа типа SMD, обеспечивая оптимальную интеграцию в различные схемы. С током стока 0,13 А и напряжением сток-исток 50 В, он идеально подходит для широкого спектра области применения, от поверхностного монтажа до интеграции в сложные устройства. Мощность устройства составляет 0,36 Вт, а сопротивление в открытом состоянии - 10 Ом, что гарантирует его высокую эффективность. Для удобства использования в проектах, не забудьте, что код товара BSS84 следует указывать без пробелов и специальных символов как BSS84, что облегчает поиск и заказ компонентов. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж SMD Ток стока, А 0.13 Напряжение сток-исток, В 50 Мощность, Вт 0.36 Сопротивление в открытом состоянии, Ом 10 Корпус SOT23
Технические параметры
| Width | 1.3mm |
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Series: | BSS84 |
| Product: | MOSFET Small Signals |
| Pin Count | 3 |
| Fall Time: | 6.3 ns |
| Rise Time: | 6.3 ns |
| Вес, г | 0.04 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Package Type | SOT-23 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | SOT-23 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package/Case: | SOT-23-3 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | BSS84_NL |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 1.3 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 360 mW |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 360 mW |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 0.9 nC @ 5 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 2.5 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 50 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 10 ns |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 130 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.8V |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 0.6 S |
| Maximum Drain Source Resistance | 10 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 130 mA |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 10 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 50 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Крутизна характеристики, S | 270 |
| Пороговое напряжение на затворе | 1…2.5 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 50 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.13 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |