Моя заявка (0)

BSS83PH6327XTSA1, Транзистор P-МОП, полевой, 60В 0,33A 0,36Вт 2Ом SO

BSS83PH6327XTSA1, Транзистор P-МОП, полевой, 60В 0,33A 0,36Вт 2Ом SO

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070092315
Артикул
BSS83PH6327XTSA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Width
1.3mm
Series
SIPMOS
Military
No
Packaging
Tape and Reel
Цена по запросу
(от 25,16 ₽)
Минимальный заказ: 100 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор P-МОП, полевой, 60В 0,33A 0,36Вт 2Ом SO

Технические параметры

Width1.3mm
SeriesSIPMOS
MilitaryNo
PackagingTape and Reel
Pin Count3
AutomotiveYes
Вес, г0.03
Channel ModeEnhancement
Channel TypeP
Package TypeSOT-23
ConfigurationSingle
Mounting TypeSurface Mount
Supplier PackageSOT-23
Transistor MaterialSi
AEC Qualified NumberAEC-Q101
Standard Package NameSOT-23
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation360 mW
Typical Gate Charge @ Vgs2.38 nC @ 10 V
Maximum Gate Source Voltage-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage60 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Operating Temperature - (??C)-55~150
Maximum Gate Threshold Voltage2V
Minimum Gate Threshold Voltage1V
Maximum Drain Source Resistance3 Ω
Maximum Continuous Drain Current330 mA
Maximum Power Dissipation - (mW)360
Typical Gate Charge @ 10V - (nC)2.38
Typical Gate Charge @ Vgs - (nC)2.38@10V
Maximum Gate Source Voltage - (V)??20
Typical Output Capacitance - (pF)19
Maximum Drain Source Voltage - (V)60
Maximum Gate Threshold Voltage - (V)2
Maximum Continuous Drain Current - (A)0.33
Typical Input Capacitance @ Vds - (pF)62@25V
Maximum Drain Source Resistance - (mOhm)2000@10V
Транспортная упаковка: размер/кол-во58*48*45/6000

Техническая документация