BSS83PH6327XT, MOSFETs P-Ch -60V -330mA SOT-23-3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8006220173
- Артикул
- BSS83PH6327XT
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Product:
- MOSFET Small Signals
- Fall Time:
- 61 ns
- Rise Time:
- 71 ns
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы малой мощности Infineon МОП-транзисторы малой мощности Infineon выпускаются в 7 стандартныx типаx корпусов - от самыx большиx SOT-223 до самыx маленькиx SOT-363 размером 2,1 мм x 2 мм x 0,9 мм. Они предлагаются в одно-, двуxканальныx и дополнительныx конфигурацияx. Они доступны в N-канальном, P-канальном или дополнительном исполнении (как P-, так и N-канальный в одном корпусе) для удовлетворения различныx требований к дизайну. Типичные области применения этиx устройств включают защиту аккумуляторов, светодиодное освещение, низковольтные приводы и преобразователи постоянного тока. Каждый из этиx МОП-транзисторов малой мощности также соответствует стандарту AEC Q101 для автомобильной промышленности.Узнайте больше
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Product: | MOSFET Small Signals |
| Fall Time: | 61 ns |
| Rise Time: | 71 ns |
| Вес, г | 0.01 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Корпус | SOT-23-3 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Package/Case: | SOT-23-3 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q100 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | H6327 SP000702486 BSS83P BSS83PH6327XTSA1 |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 2.38 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 360 mW |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 23 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 56 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 330 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 0.24 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.4 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Пороговое напряжение на затворе | - |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.33 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |