BSS816NWH6327XTSA1, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 20В, 1,4А, 0,5Вт, SOT323
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070053102
- Артикул
- BSS816NWH6327XTSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- ECCN
- EAR99
- Q(g)
- 0.6 nC
- HTSUS
- 8541.21.0095
- V(DS)
- 20 V
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор полевой BSS816NWH6327XTSA1 от производителя INFINEON – это высококачественный N-MOSFET компонент, предназначенный для SMD монтажа. С током стока в 1,4 А и напряжением сток-исток 20 В, данный транзистор обеспечивает надежную работу в различных электронных устройствах. Его мощность составляет 0,5 Вт, а низкое сопротивление в открытом состоянии всего 0,24 Ом гарантирует эффективность и экономичность использования. Компактный корпус SOT323 позволяет интегрировать этот транзистор в ограниченные по размеру пространства без потери производительности. Купите BSS816NWH6327XTSA1 для вашего следующего проекта и получите надежный компонент с отличными характеристиками. Обратите внимание, что для заказа необходимо указать полный код товара BSS816NWH6327XTSA1 без пробелов и специальных символов. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж SMD Ток стока, А 1.4 Напряжение сток-исток, В 20 Мощность, Вт 0.5 Сопротивление в открытом состоянии, Ом 0.24 Корпус SOT323
Технические параметры
| ECCN | EAR99 |
| Q(g) | 0.6 nC |
| HTSUS | 8541.21.0095 |
| V(DS) | 20 V |
| Width | 1.25mm |
| P(tot) | 0.5 W |
| Series | OptiMOSв„ў -> |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| FET Type | N-Channel |
| Mounting | SMD |
| Packaging | REEL |
| Pin Count | 3 |
| Vgs (Max) | В±8V |
| Automotive | AEC-Q(101) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Вес, г | 0.02 |
| Logic level | YES |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | SOT-323 |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| Configuration | N-CH |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Fast bodydiode | NO |
| Package / Case | SC-70, SOT-323 |
| I(D)at Tc=25°C | 1.4 A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 0.75V @ 3.7ВµA |
| Base Product Number | BSS816 -> |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity | N Channel; Continuous Drain Current Id |
| Forward Diode Voltage | 1.1V |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 160mOhm @ 1.4A, 2.5V |
| Power Dissipation (Max) | 500mW (Ta) |
| Supplier Device Package | PG-SOT323-3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 500 mW |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 0.6 nC @ 2.5 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -8 V, +8 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.6nC @ 2.5V |
| Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -40 °C |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 0.75V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.3V |
| Maximum Drain Source Resistance | 240 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 1.4 A |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 180pF @ 10V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 2.5V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 1.4A (Ta) |