BSS806NH6327XTSA1, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 20В, 2,3А, 0,5Вт, SOT23
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070141840
- Артикул
- BSS806NH6327XTSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- ECCN
- EAR99
- HTSUS
- 8541.21.0095
- Width
- 1.3mm
- Series
- OptiMOSв„ў ->
Цена по запросу
(от 26,92 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор N-Ch 20V 2.3A SOT-23-3
Технические параметры
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.21.0095 |
| Width | 1.3mm |
| Series | OptiMOSв„ў -> |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| FET Type | N-Channel |
| Pin Count | 3 |
| Vgs (Max) | В±8V |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Вес, г | 0.02 |
| Длина | 2.9 mm |
| Серия | BSS806 |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | SOT-23 |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| Высота | 1.1 mm |
| Ширина | 1.3 mm |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 750mV @ 11ВµA |
| Base Product Number | BSS806 -> |
| Transistor Material | Si |
| Технология | Si |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 3.7 ns |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 57mOhm @ 2.3A, 2.5V |
| Power Dissipation (Max) | 500mW (Ta) |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Тип продукта | MOSFET |
| Transistor Configuration | Single |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Maximum Power Dissipation | 500 mW |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 1.7 nC @ 2.5 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -8 V, +8 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.7nC @ 2.5V |
| Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 0.75V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.3V |
| Qg - заряд затвора | 1.7 nC |
| Maximum Drain Source Resistance | 82 mΩ |
| Время нарастания | 9.9 ns |
| Maximum Continuous Drain Current | 2.3 A |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 529pF @ 10V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 2.5V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 2.3A (Ta) |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 500 mW (1/2 W) |
| Другие названия товара № | BSS806N BSS86NH6327XT H6327 SP000928952 |
| Id - непрерывный ток утечки | 2.3 A |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 8 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 41 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 12 ns |
| Типичное время задержки при включении | 7.5 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 300 mV |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 9 S |