BSS7728NH6327XTSA2, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 60В, 0,2А, 0,36Вт, SOT23
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004177637
- Артикул
- BSS7728NH6327XTSA2
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- HTS
- 8541.21.00.95
- Series
- SIPMOS
- EU RoHS
- Compliant
- Military
- No
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор полевой BSS7728NH6327XTSA2 производства компании INFINEON - это высококачественный N-MOSFET компонент, предназначенный для поверхностного монтажа (SMD). Этот транзистор обладает током стока 0,2 А, способен выдерживать напряжение сток-исток до 60 В и имеет мощность 0,36 Вт. Сопротивление в открытом состоянии составляет всего 5 Ом, что обеспечивает эффективную работу устройства. Компактный корпус SOT23 облегчает интеграцию в различные электронные схемы. Используя BSS7728NH6327XTSA2, вы получаете надежный компонент для вашего проекта с улучшенными характеристиками и длительным сроком службы. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж SMD Ток стока, А 0.2 Напряжение сток-исток, В 60 Мощность, Вт 0.36 Сопротивление в открытом состоянии, Ом 5 Корпус SOT23
Технические параметры
| HTS | 8541.21.00.95 |
| Series | SIPMOS |
| EU RoHS | Compliant |
| Military | No |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | Yes |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Вес, г | 0.03 |
| Длина | 2.9 mm |
| Серия | BSS7728 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | SOT-23 |
| Высота | 1.1 mm |
| Корпус | sot23 |
| Ширина | 1.3 mm |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package Width | 1.3 |
| Package Height | 1(Max) |
| Package Length | 2.9 |
| Product Category | Small Signal |
| Supplier Package | SOT-23 |
| Process Technology | SIPMOS |
| Структура | MOSFET |
| AEC Qualified Number | AEC-Q101 |
| Технология | Si |
| Standard Package Name | SOT-23 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 9 ns |
| Typical Fall Time (ns) | 9 |
| Typical Rise Time (ns) | 2.7 |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Supplier Temperature Grade | Automotive |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.3V |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 360 |
| Qg - заряд затвора | 1 nC |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 1 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 1@10V |
| Maximum Drain Source Resistance | 5 Ω |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 2.7 |
| Время нарастания | 2.7 ns |
| Maximum Continuous Drain Current | 200 mA |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 60 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 6.1 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 0.2 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 37@25V |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 5000@10V |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 360 mW |
| Другие названия товара № | BSS7728N BSS7728NH6327XT H6327 SP000929184 |
| Id - непрерывный ток утечки | 200 mA |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 5 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 1…2.5 В |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 6.1 ns |
| Типичное время задержки при включении | 2.7 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.3 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.2 |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 100 mS |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.36 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |