Моя заявка (0)

BSS670S2LH6327XTSA, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 55В, 0,54А, 0,36Вт, SOT23

BSS670S2LH6327XTSA, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 55В, 0,54А, 0,36Вт, SOT23

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8043367566
Артикул
BSS670S2LH6327XTSA
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Case
SOT23
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
V(DS)
55 V
Цена по запросу
(от 16 ₽)
Минимальный заказ: 100 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-канальный 55 В 540 мА (Ta) 360 МВт (Ta) для поверxностного монтажа SOT-23-3

Технические параметры

CaseSOT23
ECCNEAR99
HTSUS8541.21.0095
V(DS)55 V
P(tot)0.36 W
SeriesOptiMOSв„ў ->
PackageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
FET TypeN-Channel
MountingSMD
PackagingREEL
Vgs (Max)В±20V
AutomotiveAEC-Q(101)
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Вес, г0.02
RoHS StatusROHS3 Compliant
ManufacturerINFINEON TECHNOLOGIES
Polarisationunipolar
REACH StatusREACH Unaffected
ConfigurationN-CH
Drain current0.54A
Mounting TypeSurface Mount
RDS(on)at 10V650 mOhm
Fast bodydiodeNO
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
RoHS CompliantYes
I(D)at Tc=25°C0.54 A
Kind of channelenhanced
Power dissipation0.36W
Type of transistorN-MOSFET
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 2.7ВµA
Base Product NumberBSS670 ->
Gate-source voltage±20V
On-state resistance0.65Ω
Drain-source voltage55V
Operating Temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Power Dissipation (Pd)360mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs650mOhm @ 270mA, 10V
Power Dissipation (Max)360mW (Ta)
Supplier Device PackageSOT-23-3
Total Gate Charge (Qg@Vgs)2.26nC@10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2.26nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss@Vds)75pF@25V
Continuous Drain Current (Id)540mA
Drain to Source Voltage (Vdss)55V
Moisture Sensitivity Level (MSL)1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds75pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C540mA (Ta)

Техническая документация