Моя заявка (0)
BSS670AHZGT116, MOSFETs SOT23 N-CH 60V .65A

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8030381690
Артикул
BSS670AHZGT116
Бренд
Rohm
Brand:
ROHM Semiconductor
Fall Time:
15 ns
Packaging:
Reel, Cut Tape
Rise Time:
5.2 ns
Цена по запросу
(от 40,92 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Решения для электромобилей (EV) ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) разработаны для повышения эффективности и эксплуатационныx xарактеристик современныx электромобилей. Компания ROHM предлагает продукты, оптимизированные для различныx решений, с акцентом на специализированные блоки электромобилей, такие как основной инвертор, преобразователь постоянного тока в постоянный, встроенное зарядное устройство и электрический компрессор.

Технические параметры

Brand:ROHM Semiconductor
Fall Time:15 ns
Packaging:Reel, Cut Tape
Rise Time:5.2 ns
Вес, г1
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Корпусsot23
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:ROHM Semiconductor
Package/Case:SOT-23-3
Product Type:MOSFETs
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Product Category:MOSFETs
СтруктураMOSFET
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:3000
Особенности-
Pd - Power Dissipation:350 mW
Typical Turn-On Delay Time:4.6 ns
Typical Turn-Off Delay Time:17 ns
Id - Continuous Drain Current:650 mA
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2 V
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А0.65
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)680 mOhms