BSS64LT1G, Транзистор: NPN, биполярный, 80В, 0,1А, 225мВт, SOT23
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8065996406
- Артикул
- BSS64LT1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand
- ON Semiconductor
- Series
- BSS64L
- Packaging
- Cut Tape or Reel
- Вес, г
- 0.02
Цена по запросу
(от 8 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT 100mA 120V NPN
Технические параметры
| Brand | ON Semiconductor |
| Series | BSS64L |
| Packaging | Cut Tape or Reel |
| Вес, г | 0.02 |
| Длина | 2.9 mm |
| Серия | BSS64L |
| Subcategory | Transistors |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Product Type | BJTs-Bipolar Transistors |
| Высота | 0.94 mm |
| Корпус | SOT-23(TO-236) |
| Ширина | 1.3 mm |
| Configuration | Single |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-23-3 |
| Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
| Структура | npn |
| Transistor Polarity | NPN |
| Технология | Si |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Pd - Power Dissipation | 225 W |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Gain Bandwidth Product FT | 60 MHz |
| Emitter- Base Voltage VEBO | 5 V |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Collector- Base Voltage VCBO | 120 V |
| Continuous Collector Current | 0.1 A |
| Maximum DC Collector Current | 0.1 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| DC Collector/Base Gain Hfe Min | 20 |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 80 V |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | 0.2 V |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 225 mW |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 0.1 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 120 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.1 |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 80 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 0.1 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.2 V |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 20 |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 80 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 60 MHz |