Моя заявка (0)

BSS64AHZGT116, 100V 350mW 30@25mA,1V 100mA NPN TO-236-3(SOT-23-3) Bipolar (BJT) ROHS

BSS64AHZGT116, 100V 350mW 30@25mA,1V 100mA NPN TO-236-3(SOT-23-3) Bipolar (BJT) ROHS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8048226480
Артикул
BSS64AHZGT116
Бренд
Rohm
Вес, г
0.11
Корпус
SOT-23(TO-236)
Power Dissipation
200мВт
Структура
npn
Цена по запросу
(от 38 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT TRANSISTOR FOR HIGH VOLT AMP

Технические параметры

Вес, г0.11
КорпусSOT-23(TO-236)
Power Dissipation200мВт
Структураnpn
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
DC Current Gain hFE Min30hFE
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
КвалификацияAEC-Q101
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Торговая маркаROHM Semiconductor
Упаковка / блокSOT-23-3
Continuous Collector Current100мА
Collector Emitter Voltage Max100В
DC Усиление Тока hFE30hFE
Частота Перехода ft140МГц
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Полярность транзистораNPN
Pd - рассеивание мощности200 mW
Размер фабричной упаковки3000
Стиль Корпуса ТранзистораSOT-23
Напряжение эмиттер-база (VEBO)6 V
Непрерывный коллекторный ток100 mA
Напряжение коллектор-база (VCBO)120 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.100 V
Максимальный постоянный ток коллектора200 mA
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер80 mV
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)30
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)140 MHz

Техническая документация