BSS64AHZGT116, Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 100 V, 100 mA, 200 mW, SOT-23, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004243729
- Артикул
- BSS64AHZGT116
- Бренд
- Rohm
- Вес, г
- 0.1
- Корпус
- SOT-23(TO-236)
- Power Dissipation
- 200мВт
- Структура
- npn
Цена по запросу
(от 55 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT TRANSISTOR FOR HIGH VOLT AMP
Технические параметры
| Вес, г | 0.1 |
| Корпус | SOT-23(TO-236) |
| Power Dissipation | 200мВт |
| Структура | npn |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| DC Current Gain hFE Min | 30hFE |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Continuous Collector Current | 100мА |
| Collector Emitter Voltage Max | 100В |
| DC Усиление Тока hFE | 30hFE |
| Частота Перехода ft | 140МГц |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Полярность Транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 200 mW |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-23 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 100 mA |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 120 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 100 mA |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 100 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 200 mA |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 80 mV |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 30 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 140 MHz |