Моя заявка (0)

BSS63LT1G, Транзистор: PNP, биполярный, 100В, 0,1А, 0,3Вт, SOT23

BSS63LT1G, Транзистор: PNP, биполярный, 100В, 0,1А, 0,3Вт, SOT23

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8017532564
Артикул
BSS63LT1G
Бренд
ON Semiconductor***
PPAP
No
Type
PNP
EU RoHS
Compliant
Material
Si
Цена по запросу
(от 7,72 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор: PNP, биполярный, 100В, 0,1А, 0,3Вт, SOT23 Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид NPN

Технические параметры

PPAPNo
TypePNP
EU RoHSCompliant
MaterialSi
MountingSurface Mount
ECCN (US)EAR99
PackagingTape and Reel
Pin Count3
AutomotiveNo
Lead ShapeGull-wing
Вес, г0.05
PCB changed3
Part StatusActive
Package TypeSOT-23
КорпусSOT-23
ConfigurationSingle
Mounting TypeSurface Mount
Transistor TypePNP
Product CategoryBipolar Small Signal
Supplier PackageSOT-23
Структураpnp
Standard Package NameSOT
Minimum DC Current Gain30@10mA@1V|30@25mA@1V
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation225 mW
Maximum Operating Frequency95 MHz
Number of Elements per Chip1
Maximum DC Collector Current-100 mA
Maximum Operating Temperature+150 °C
Maximum Power Dissipation (mW)300
кол-во в упаковке3000
Maximum DC Collector Current (A)0.1
Maximum Emitter Base Voltage (V)6
Maximum Collector Emitter Voltage-100 V
Maximum Collector Base Voltage (V)110
Maximum Transition Frequency (MHz)95(Typ)
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)100
Maximum Collector Cut-Off Current (nA)100
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V)0.9@2.5mA@25mA
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)0.25@2.5mA@25mA
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт0.3
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)0.1
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В100

Техническая документация