BSS63LT1G, Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001039707
- Артикул
- BSS63LT1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- PPAP
- No
- Type
- PNP
- EU RoHS
- Compliant
- Material
- Si
Цена по запросу
(от 32 ₽)
Минимальный заказ: 950 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: PNP, биполярный, 100В, 0,1А, 0,3Вт, SOT23 Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид NPN
Технические параметры
| PPAP | No |
| Type | PNP |
| EU RoHS | Compliant |
| Material | Si |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Вес, г | 0.05 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Package Type | SOT-23 |
| Корпус | SOT-23 |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Transistor Type | PNP |
| Product Category | Bipolar Small Signal |
| Supplier Package | SOT-23 |
| Power Dissipation | 225мВт |
| Структура | pnp |
| Standard Package Name | SOT |
| DC Current Gain hFE Min | 30hFE |
| Minimum DC Current Gain | 30@10mA@1V|30@25mA@1V |
| Transistor Configuration | Single |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Maximum Power Dissipation | 225 mW |
| Maximum Operating Frequency | 95 MHz |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Continuous Collector Current | 100мА |
| Maximum DC Collector Current | -100 mA |
| Collector Emitter Voltage Max | 100В |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 300 |
| кол-во в упаковке | 3000 |
| DC Усиление Тока hFE | 30hFE |
| Maximum DC Collector Current (A) | 0.1 |
| Maximum Emitter Base Voltage (V) | 6 |
| Maximum Collector Emitter Voltage | -100 V |
| Линейка Продукции | - |
| Maximum Collector Base Voltage (V) | 110 |
| Maximum Transition Frequency (MHz) | 95(Typ) |
| Частота Перехода ft | 95МГц |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 100 |
| Maximum Collector Cut-Off Current (nA) | 100 |
| Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) | 0.9@2.5mA@25mA |
| Полярность Транзистора | PNP |
| Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.25@2.5mA@25mA |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-23 |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.1 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |