BSS63AT116, Bipolar Transistors - BJT Transistor, Pch -100V -100mA High-Voltage Amplifier
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005261211
- Артикул
- BSS63AT116
- Бренд
- Rohm
- Вес, г
- 1
- Технология
- Si
- Вид монтажа
- SMD/SMT
- Тип продукта
- BJTs - Bipolar Transistors
Цена по запросу
(от 27 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT TRANSISTOR FOR HIGH VOLT AMP
Технические параметры
| Вес, г | 1 |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Полярность транзистора | PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 200 mW |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 100 mA |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 110 V |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 100 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 200 mA |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 100 mV |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 30 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 30 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 200 MHz |