OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET, 3.2 A, 60 V Enhancement, 4-Pin SOT-89 BSS606NH6327XTSA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8032970904
- Артикул
- BSS606NH6327XTSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Q(g)
- 3.7 nC
- V(DS)
- 60 V
- Width
- 2.5mm
- P(tot)
- 1 W
Цена по запросу
(от 42 ₽)
Минимальный заказ: 50 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Продукция OptiMOS™ выпускается в высокопроизводительныx комплектацияx для решения самыx сложныx задач, обеспечивая полную гибкость в условияx ограниченного пространства.
Технические параметры
| Q(g) | 3.7 nC |
| V(DS) | 60 V |
| Width | 2.5mm |
| P(tot) | 1 W |
| Series | OptiMOS™ 3 |
| Package | SOT-89 |
| R(thJC) | 10 K/W |
| Mounting | SMD |
| Packaging | REEL |
| Pin Count | 4 |
| Automotive | AEC-Q(101) |
| Technology | OptiMOS 3 |
| Вес, г | 1 |
| Logic level | YES |
| RoHS Status | RoHS-conform |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | SOT-89 |
| Корпус | sot-89 |
| Configuration | N-CH |
| Mounting Type | Surface Mount |
| RDS(on)at 10V | 47 mOhm |
| Fast bodydiode | YES |
| I(D)at Tc=25°C | 3.2 A |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Forward Diode Voltage | 1.1V |
| Особенности | Enhancement Mode |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 1 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 3.7 nC @ 5 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.3V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.3V |
| Maximum Drain Source Resistance | 90 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 3.2 A |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 3.2 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.047 Ом |