BSS606NH6327, 60V 3.2A 60mOhm@10V,3.2A 1W N Channel SOT-89-3 MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8025029876
- Артикул
- BSS606NH6327
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Product:
- MOSFET Small Signals
- Fall Time:
- 2.1 ns
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
Цена по запросу
(от 32,37 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Product: | MOSFET Small Signals |
| Fall Time: | 2.1 ns |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Rise Time: | 2.6 ns |
| Вес, г | 0.14 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Корпус | sot-89 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Package/Case: | SOT-89-3 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q100 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | BSS606NH6327XT SP000691152 BSS606NH6327XTSA1 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 3.7 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Power Dissipation (Pd) | 1W |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 1 W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 5.6nC@5V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 5.6 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 657pF@25V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 13 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 3.2A |
| Id - Continuous Drain Current: | 3.2 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 6 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 60 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 15.3pF@25V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.8 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.3V@15uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 3.2 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 60mΩ@10V, 3.2A |