BSS5130AT116, Bipolar Transistors - BJT Transistor, Pch -30V -1A Amplification
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005261209
- Артикул
- BSS5130AT116
- Бренд
- Rohm
- Вес, г
- 2.01
- Технология
- Si
- Вид монтажа
- SMD/SMT
- Тип продукта
- BJTs - Bipolar Transistors
Цена по запросу
(от 270 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT TRANSISTOR FOR LOW FREQ AMP
Технические параметры
| Вес, г | 2.01 |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Полярность транзистора | PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 200 mW |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 1 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 30 V |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 30 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 2 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 100 mV |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 680 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 270 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 320 MHz |